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智能穿戴设备中 PSRAM 存储芯片 APS6404L-SQR-ZR 的应用与优势一、智能穿戴设备的发展历程智能穿戴设备从最初的单一手环步数功能，发展到如今具备支付、血氧、心率、运动数据等丰富功能。在这个发展过程中，技术的不断进步使得设备的功能越来越强大，对硬件的要求也越来越高。二、高清屏智能手表的特点高清屏智能手表是智能穿戴设备中的亮点产品，其屏幕部门尤为突出。微曲超大 AOLED 屏幕提...

消防警报系统作为公共安全领域的重要组成部分，其核心任务在于快速、准确地识别火灾隐患，并及时触发警报，以便迅速疏散人员并采取有效的灭火措施。为了实现这一目标，消防警报系统不仅需要高效的数据处理能力，还需要可靠的存储机制来记录和分析各种传感器数据、历史警报记录以及系统配置信息。这些数据的快速存取和长期保存对于提高系统响应速度和可靠性至关重要。在消防警报系统中，PSRAM可用作数据缓存，暂存来自各...

PSRAM（Pseudo Static Random Access Memory，伪静态随机存取存储器）作为一个关键组件，其重要性不言而喻。它融合了DRAM（动态随机存取存储器）的高密度与SRAM（静态随机存取存储器）的易用性，为众多嵌入式系统、消费电子产品及工业控制设备提供了高效、稳定的数据存储解决方案。本文将从PSRAM的基本原理、技术特点、应用场景、发展趋势以及未来展望等多个维度进行深...

      全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子今日宣布，推出全新 1.8V 1Gb QspiNAND 闪存产品 W25N01KW。该款产品旨在满足可穿戴和电池供电物联网设备日益增长的多样化需求，如低待机功耗、小尺寸封装及连续读取，以实现快速启动并支持即开即用。      W25N01KW 闪存以其高速读取性能脱颖而出，在连续读取（Continuous Read）和顺序读取（Sequen...

珠海博雅科技股份有限公司推出高性能极低功耗NOR Flash：BY25FQ32EL/64EL/128EL，支持1.65~2V供电电压，频率高达133MHz，擦写性能远高于主流水平，容量覆盖32Mb，64Mb，128Mb，余下容量也将陆续推出！NOR Flash由于物理器件的限制，很难持续缩小工艺制程，每往下探一步，都要巨大的研发投入，业界目前仍然以ETOX 65nm，55nm为主，作为全球率...

PSRAM，全称 伪静态随机存储器，它是采用动态随机存储器的工艺和技术，实现类似于静态随机存储器一样的存储器件。静态随机存储器采用6T架构，而动态随机存储器采用1T（晶体管）1C（电容器）架构，因此，同样的体积，PSRAM的容量可以做得更大，相对价格更低。QSPI 4bit LPC pSRAM产品指南OPI 8bit LPC pSRAM产品指南UHB 8和16bit LPC pSRAM产品指...

      CSS1604L的这一特性是一个高速、低针脚计数的接口PSRAM芯片。它有4个SDR I/O引脚，并在SPI（串行外围接口）或QPI（四外围接口）模式下运行，频率最高可达133 MHz。存储器的数据输入（A/DQ）依赖于时钟（CLK）来锁存所有指令、地址和数据。它最适合用于低功耗便携式、可穿戴设备和物联网（物联网）的应用。它集成了一个无缝的自管理的刷新机制。因此，它不需要支持从...

1.PSRAM是什么？                      PSRAM，全称 伪静态随机存储器，它是采用动态随机存储器的工艺和技术，实现类似于静 态随机存储器一样的存储器件。静态随机存储器采用6T架构，而动态随机存储器采用1T（晶体管）1C（电容器）架构，因此，同样的体积，PSRAM的容量可以做得更大，相对价格更低。产品选型            技术咨询           样品申请...

     被动组件大厂国巨近日宣布，2022年10月宣布以新台币214亿元（约合人民币48亿元）收购法国施耐德电机高阶工业传感器事业部（Telemecanique Sensors），双方在各项整并及交割作业完成后，已于2023年11月1日正式完成收购。该笔收购不仅有助国巨营收、毛利率表现，也成为集团进一步提升在传感器市场地位的重要里程碑。国巨原本预估第四季进入淡季，营收将季减 4-6%，但...

    11月2日，据报道，ASML全球副总裁、中国区总裁沈波在访谈中表示，到2023年底，ASML在中国的光刻机加上量测的机台装机量接近1400台！沈波表示，自1988年ASML向中国大陆交付了首台步进式光刻机后，公司已在国内市场深耕30余年，预计到今年年底，ASML累计交付光刻机和量测机台约达1400台。如今，中国大陆已成为ASML最重要的市场之一。今年第三季度财报显示，当季，中国大陆...

挑战ASML，日本佳能宣布推出新型光刻设备：FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备！Canon发布新闻稿宣布，已于13日开卖采用「纳米压印（Nano-imprint Lithography；NIL）」技术、可用低成本制造高性能先进芯片的微影设备「FPA-1200NZ2C」。Canon指出，NIL微影设备可用来生产现行最先进的5nm逻辑芯片，且经由改良，期待可进一步用来生产2nm产品。...

10月9日消息，据韩联社，韩国总统办公室周一宣布，美国政府决定无限期延长对三星电子在华工厂进口美国芯片设备的豁免期限。也就是说，在无需单独批准的情况下，三星电子可以任意向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。韩国总统办公室经济首席助理崔相穆称，“美国政府最近根据美国出口管制法规，通过出口管制当局和NSC经济与安全部门，将三星电子在中国的半导体工厂指定为‘经过验证的最终用户’（VEU）。这一决定...

据彭博社报道，东京电子有限公司表示，随着美国及其盟国加强对尖端技术的出口管制，中国芯片制造商正在加快对成熟半导体设备的投资。东京电子CEO Toshiki Kawai在近期财报电话会议上表示，我们在中国看到了“极其强劲的投资”，并正在赢得新客户。“这不仅仅是今年的一种趋势，我们预计这种需求将持续下去。”东京电子表示，这种热潮有助于弥补高端逻辑芯片制造商和晶圆代工厂的投资延迟。中国市场占该公司...

据DIGITIMES报道，在内存原厂积极止损、扩大减产、调涨报价的背景下，有业界人士指出，随NAND Flash调涨趋势不变，有内存模块厂近日暂停报价及接单，将配合原厂报价调高8~10%。尽管买卖双方仍处拉锯阶段，但产业涨价风向愈趋明确，NAND价格逐步朝制造成本线靠拢。NAND跌幅在第2季逐步收敛，库存去化压力逐步改善，但全球NAND原厂持续亏损，三星电子、SK海力士及美光均表示将继续减产...

目前唯一量产24GB封装产品，并供应给全球智能手机制造商采用HKMG工艺，同时实现超低功耗、高性能“率先满足客户要求，引领高端DRAM市场”2023年8月11日，SK海力士宣布，公司开始向客户提供应用于智能手机等移动产品的高性能DRAM（内存） LPDDR5X*(Low Power Double Data Rate 5 eXtended)的24GB(千兆字节)封装产品。公司已于去年11月成功...

01 前言本文来聊聊目前国内FPGA发展到了什么水平？都有哪些做得比较好的公司？FPGA国产替代所需要考虑哪些因素？部分内容和数据参考自网络和官方网站，有不对或不准确的地方，希望能和各位大佬一起探讨、学习。FPGA，万能芯片！以其强大的并行计算能力、功能灵活可定制等优点，被广泛应用于通信、医疗、电力、军工等高速、大数据量的领域，以及IC和ASIC设计前期原型验证系统。自1985年由Xilin...